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产品概述

产品选型

设计与开发

  • CMS6126

    广泛应用于高压风扇、水泵等典型电机控制领域。


    数据手册 >
    CMS61261
    CMS6126

    CMS6126是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的单相高压高速栅极驱动IC，芯片内置320ns死区时间，单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃；提供SOP8封装。

    产品特性

    > 悬浮绝对电压+600V

    > 输出电流+0.21A/-0.40A@15V

    > 电源电压范围：10V~20V

    > 内置VCC、VBS欠压保护UVLO

    > 内置直通防止功能

    > 内置320ns死区时间

    > 高低侧通道匹配

    > 3.3V/5V输入逻辑兼容



  • 产品选型

    型号 封装形式 工作温度 （℃） 电压 （V） Vs耐压（V） IO+/IO- 输入逻辑 VCC（UV+/UV-） VBS（UV+/UV-） 驱动功率管类型 死区时间（ns） 直通防止 输出通道 内置LDO
    CMS6126 SOP8 -20~+85 10~20 600 +0.21A/-0.36A HIN/LIN 8.8V/8.2V 8.8V/8.2V 双N 320 √ 2 -

  • 设计与开发

    技术文档
    名称 版本 描述 下载
    CMS6126用户手册 V1.11

    600V单相双N栅极驱动，内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护

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