中微半导-【新品发布】中微半导全新CSP封装MOSFET 针对锂电池保护

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【新品发布】中微半导全新CSP封装MOSFET 针对锂电池保护

2022-04-01

中微半导基于自主研发专利推出全新CSP封装MOSFET产品，新器件主要针对单节锂电池保护应用开发设计，适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等，满足锂电池高可靠与高耐受要求。

全新CSP封装MOSFET产品是中微半导独有专利芯片结构设计，综合性能远超传统Trench VDMOS，拥有体积小、散热性好、电性连接寄生参数小等特点，12V系列产品内阻1.8mΩ-10mΩ多种等级，满足常见单节锂电池充放电管理需求。

除优化器件结构降低产品的导通内阻之外，中微半导深入研究CSP系列产品在各种恶劣环境中的应用。对于锂电保护系统在开关过程中由于回路中电感的存在，极端情况下可能出现的器件过电压应力问题，以及防止电池产品接口误操作导致的系统过电流异常等问题，中微半导CSP系列产品均有针对性的器件设计与检测，其雪崩耐压能力、短路耐受能力及驱动级信号可控性，经过重复测试与验证，可大大降低异常情况下器件失效率概率。

针对芯片在组装加工过程中易受外界机械应力影响出现暗裂甚至破碎的情况，中微半导自主研发小型化CSP封装产品进行基础结构优化，芯片厚度较传统产品的约100um提升到300um，大幅提升耐受机械压力。

> 典型单节锂电保护应用原理图

选型及特性

> 覆盖范围广
中微CSP系列产品提供1.8-10mΩ产品供客户选择
可支持充放电电流从1A-5A应用，器件温升低于20℃

> 机械强度高
提升CSP器件机械应力的承受能力，降低生产要求
耐受的机械压力>60N，较传统产品提升200%

> 保障安全性好
降低器件发热，保障电池续航与可靠性
多次重复测试，验证短路时耐受能力

> 器件可靠性高
提升雪崩耐压能力，降低器件失效率